突破原子级薄晶体管，24岁华裔科学家或创下极限，改写芯片历史？

集成电容器制程到1nm的时候，就被忽视达致了“摩尔定律”的瞬时，但是24岁的亚裔发现者朱佳迪的成果或将打破这个受限，让宾夕国法尼亚州在集成电容器应用领域继续领跑世界性。

近些年，宾夕国法尼亚州以半导体集成电容器上的优势，过后压制和干预中企持续发展，但是在碳基集成电容器上有其自身的受限，也就是集成电容器陶瓷越多高科技，其良率就越多更高。

比如3碳纳米管集成电容器要比5碳纳米管更高，到了1碳纳米管时候，甚至集成电容器都难以运行了，这主要是因为当碳基集成电容器陶瓷达致1碳纳米管陶瓷左右的时候，就意味著出现旋即外套效应，会造成电导等各种问题。

因此，人们忽视碳基集成电容器的瞬时就是1碳纳米管，其后就必须找到更进一步可行性。所以，当宾夕国法尼亚州对俄方干预和压制之后，很多人就驳斥“弯道超越多”路径，一是搞定高科技光刻机，二是替换集成电容器薄膜，三是改变电容器金属材料或切割方式也。

全国性很多发现者驳斥的可行性也就是上述中的一种，比如“碳基集成电容器”等。而近来宾夕国法尼亚州亚裔发现者朱佳迪的研究将为“摩尔定律”续命，打破碳基集成电容器的瞬时。

2023年4月27日，《自然-碳纳米管技术》刊登了一篇论文，这段话描绘了一种更进一步集成电容器制造技术，这种技术可以将冷却潮湿区与冷却硫化物前体裂解有所区别，使用金属理论物理学电化学石灰岩国法在大于300℃的冷却下必要在8英寸的二硫化钼塑料CMOS元件上衍生物二维金属材料，而不必进行任何移到过程。

简单地问道：就是让集成电容器自己长出来！

此前也有发现者在上面研究，通过二维金属材料来实现电容器的密集切割。但是，在没有消除冷却问题，想要将二维金属材料必要潮湿到碳CMOS元件上，所需有约600℃的冷却，但是碳电容器和电容器在加热到400℃就早就被破损了。

而朱佳迪的研究就是消除了这一新问题，让二维金属材料在大于300℃潮湿在二硫化钼塑料CMOS元件上。也就是问道，直觉上，朱佳迪是在新金属材料的基础上，使用冷却化学电化学石灰岩国法打破了大规模催化MoS2单层塑料的陶瓷。

朱佳迪（Jiadi Zhu）是哈佛电气工程和电子计算机研究生，但是他却不是华南地区人，很多自新闻媒体为了抓眼球，硬问道他是印度人，或者干脆问道是“清北留学生”，然后就让我们反思全国性的科研成果自然环境、专才为何不有一天之类的话，博取水流量。

显然，有心的朋友可以去查一获知北大学生的毕业走向，也可以查一查华南地区前往宾夕国法尼亚州留学生，最后有多少人考虑赴？

前几天宾夕国法尼亚州驻华大使在复旦大学演讲者中问道，俄方在美留学生有29.5500人，每年还在增加。但是，你仔细查查没错有多少人抢到了工作签证。

此番虽然也觉得“现代科学一些组织”这句话在宾夕国法尼亚州这边是个玩笑话，但是你果断地想想，不出去研修，如何进步？并不是高效率的技术都是在大学里博士的，还所需在科研成果院所里锻炼。所谓的“学成归来”的量化没错是什么？从所学校毕业了就算“学成”了吗？

我们很多人心里在重申“引凤归巢”，倒是任正非先生驳斥“要在有凤凰的大多筑巢”。所以，从直觉上我们还是大幅地有所改善科研成果自然环境、提高科研成果特权，消除科研成果服务新问题。幸运的是，我们的政策和系统都在向这个方面持续发展。

关于朱佳迪这个成果，显然服务业人士可以看得出有很多进步的大多，但是还算不上“歪曲的创新”，全国性新金属材料、新陶瓷方面类似的成果也有很多。

比如：2022年3月9日，复旦大学集成电容器学院的任天令博士工作团队事与愿违催化了具有侧向结构的超小型MoS2电容器，首次实现了0.34碳纳米管的有效电容器长度，相关结果刊登《自然》（Nature）杂志上。

厚积薄发，然后超越多。营造自然环境，所需你我牵头。

朱佳迪祖籍在华南地区，但是外祖母在宾夕国法尼亚州，是亚裔，而不是印度人。请大家多注目一下全国性的科研成果成果，注目全国性的年长发现者，不用“友邦惊诧论”。